Ваш список запросов пуст.
Силовой чип
【Русский】Сверхточная траншеечная ячейка, технология полевого останова и комбинированной траншеи, контроль срока службы, низкая проводимость и мягкое восстановление. IGBT напряжение 600V-3300V, ток 15A-300A; FRD напряжение 650V-1700V, ток 8A-300A. Vcesat снижен на 20%, плотность тока увеличена на 40% по сравнению с предыдущим поколением.
【English】Using ultra-fine trench cell, field-stop and composite trench technologies, the chips offer global and local lifetime control with low conduction and soft-recovery behavior. IGBTs span 600V-3300V and 15A-300A; FRD diodes span 650V-1700V and 8A-300A. Vcesat drops 20% and current density rises 40% over the prior generation.