SiC SBD чип

【Русский】Изготовлен по технологии MPS, напряжение 650V-1200V, минимальное сопротивление открытого чипа 11мОм, низкие потери переключения, более чем на 30% ниже, чем IGBT модули, максимальная рабочая температура повышена до 200°C. Применение в высокочастотных источниках питания, автомобильных OBC, DC/DC, зарядных станциях, фотоэлектрических инверторах и преобразователях накопителей энергии.
【English】Built with MPS technology, SiC SBD chips cover 650V-1200V with on-resistance as low as 11 mOhm. They deliver low switching loss, more than 30% lower than IGBT modules, and raise the maximum working temperature to 200 C, serving high-frequency power supplies, automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV and storage.