Ваш список запросов пуст.
Карбид-кремниевый чип
【Русский】Высоконадёжная технология плоского затвора, напряжение 650V-1200V, максимальный ток одного чипа 50А. Вывод источника Кельвина и многослойная низкоиндуктивная конструкция значительно снижают паразитную индуктивность модуля, превосходные высокочастотные характеристики переключения, высокая надёжность, для высокочастотных источников питания с жёсткими требованиями к эффективности.
【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.