SiC модуль

【Русский】Низкие потери переключения, более чем на 30% ниже, чем IGBT модули, максимальная рабочая температура повышена до 200°C. Вывод источника Кельвина и многослойная низкоиндуктивная конструкция значительно снижают паразитную индуктивность модуля. Применение в автомобильных OBC, DC/DC, зарядных станциях, фотоэлектрических инверторах, преобразователях накопителей энергии и высокочастотных источниках питания.
【English】SiC modules offer switching loss more than 30% lower than IGBT modules and raise the maximum working temperature to 200 C. Kelvin source pins and stacked low-inductance design cut module parasitic inductance. Applications include automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV inverters, PCS and high-frequency power supplies.