Ваш список запросов пуст.
Силовой чип
【Русский】Результаты предварительных исследований восьмого поколения IGBT, снижение потерь переключения на 20%, увеличение плотности тока на 15% по сравнению с седьмым поколением, продолжение собственной разработки чипов шестого/седьмого поколений, начало предварительных исследований в 2025 году. Для высокочастотных переключающих сценариев промышленного управления, фотоэлектрических панелей и накопителей энергии, дальнейшее повышение эффективности и плотности мощности устройств.
【English】Pre-research on the eighth-generation IGBT cuts switching losses by 20% and raises current density by 15% over the seventh generation, launched in 2025. Building on in-house sixth- and seventh-generation development, it targets high-frequency switching in industrial control, photovoltaics and energy storage.