Chip IGBT+FRD (6ª geração)

【Português】Adota
design de célula de sulco super refinado, corte de campo e tecnologia de sulco composto, com controlo de vida útil, baixa condução e recuperação suave. IGBT com tensão 600-3300 V e corrente 15-300 A; FRD com tensão 650-1700 V e corrente 8-300 A. Vcesat reduzido em 20%, densidade de corrente melhorada em 40% em relação à geração anterior.【English】Using ultra-fine trench cell, field-stop and composite trench technologies, the chips offer global and local lifetime control with low conduction and soft-recovery behavior. IGBTs span 600V-3300V and 15A-300A; FRD diodes span 650V-1700V and 8A-300A. Vcesat drops 20% and current density rises 40% over the prior generation.