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Chip de carbureto de silício
【Português】Fabricado
com tecnologia MPS, tensão 650-1200 V, resistência de condução mínima de 11 mΩ por chip, com baixas perdas de comutação, mais de 30% inferior à do módulo IGBT, temperatura máxima de funcionamento até 200 ℃. Indicado para fontes de alimentação de alta frequência, OBC de veículos automóveis, CC/CC, estações de carregamento, inversores fotovoltaicos e conversores de armazenamento de energia.【English】Built with MPS technology, SiC SBD chips cover 650V-1200V with on-resistance as low as 11 mOhm. They deliver low switching loss, more than 30% lower than IGBT modules, and raise the maximum working temperature to 200 C, serving high-frequency power supplies, automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV and storage.