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Chip de carbureto de silício
【Português】Adota
tecnologia de porta planar de alta fiabilidade, tensão 650-1200 V, capacidade máxima de corrente de 50 A por chip. Adota pino de emissor Kelvin e design de empilhamento baixa indutância, reduzindo significativamente a indutância parasita do módulo, com excelente desempenho de comutação de alta frequência e elevada fiabilidade, indicado para fontes de alimentação de alta frequência e outras situações com requisitos rigorosos de eficiência.【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.