IGBT+FRD 칩 (6세대)

【한국어】초정밀 트렌치 셀 설계, 필드 스톱 및 복합 트렌치 기술 채택, 수명 제어, 저전도 및 소프트 복구 특성 보유. IGBT 전압 600V-3300V, 전류 15A-300A; FRD 전압 650V-1700V, 전류 8A-300A. Vcesat 20% 감소, 전류 밀도 전세대 대비 40% 향상.
【English】Using ultra-fine trench cell, field-stop and composite trench technologies, the chips offer global and local lifetime control with low conduction and soft-recovery behavior. IGBTs span 600V-3300V and 15A-300A; FRD diodes span 650V-1700V and 8A-300A. Vcesat drops 20% and current density rises 40% over the prior generation.