SiC SBD 칩

【한국어】MPS 기술로 제조, 전압 650V-1200V, 단일 칩 전도 저항 최저 11mΩ, 저스위칭 손실 특성, IGBT 모듈 대비 30% 이상 감소, 최고 작동 온도 200°C까지 향상. 고주파 전원, 자동차 OBC, DC/DC, 충전기, 태양광 인버터 및 에너지 저장 변환기 등 다양한 분야에 적용.
【English】Built with MPS technology, SiC SBD chips cover 650V-1200V with on-resistance as low as 11 mOhm. They deliver low switching loss, more than 30% lower than IGBT modules, and raise the maximum working temperature to 200 C, serving high-frequency power supplies, automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV and storage.