SiC MOSFET 칩

【한국어】고신뢰성 평면 게이트 공정 채택, 전압 650V-1200V, 단일 칩 전류 용량 최대 50A. 커린 소스 핀과 적층 저인덕턴스 설계로 모듈 기생 인덕턴스 대폭 감소, 고주파 스위칭 성능 우수, 신뢰성 높음, 고주파 전원 등 효율 요구가 엄격한 환경에 적합.
【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.