SiC 모듈

【한국어】저스위칭 손실 특성, IGBT 모듈 대비 30% 이상 감소, 최고 작동 온도 200°C까지 향상; 커린 소스 핀, 적층 저인덕턴스 설계로 모듈 기생 인덕턴스 대폭 감소. 적용 분야: 자동차 OBC, DC/DC, 충전기, 태양광 인버터, 에너지 저장 변환기 및 고주파 전원.
【English】SiC modules offer switching loss more than 30% lower than IGBT modules and raise the maximum working temperature to 200 C. Kelvin source pins and stacked low-inductance design cut module parasitic inductance. Applications include automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV inverters, PCS and high-frequency power supplies.