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전력 칩
【한국어】8세대 IGBT 칩 기술 사전 연구 성과, 스위칭 손실 20% 감소, 전류 밀도 7세대 대비 15% 향상, 6세대/7세대 칩 자체 개발 능력 계승, 2025년 사전 연구 시작. 산업 제어, 태양광, 에너지 저장 등 고주파 스위칭 환경을 대상으로 소자 효율과 전력 밀도 추가 향상.
【English】Pre-research on the eighth-generation IGBT cuts switching losses by 20% and raises current density by 15% over the seventh generation, launched in 2025. Building on in-house sixth- and seventh-generation development, it targets high-frequency switching in industrial control, photovoltaics and energy storage.