IGBT+FRDチップ（第6世代）

【日本語】超微細トレンチセル設計、電界終端と複合トレンチ技術を採用。寿命制御、低導通、ソフト回復特性を備えます。IGBT電圧600V-3300V・電流15A-300A、FRD電圧650V-1700V・電流8A-300A。Vcesatが20%低減、電流密度は前世代比40%向上。
【English】Using ultra-fine trench cell, field-stop and composite trench technologies, the chips offer global and local lifetime control with low conduction and soft-recovery behavior. IGBTs span 600V-3300V and 15A-300A; FRD diodes span 650V-1700V and 8A-300A. Vcesat drops 20% and current density rises 40% over the prior generation.