SiC SBDチップ

【日本語】MPS技術を採用して製造、電圧650V-1200V、単一チップ導通抵抗最低11mΩ、低スイッチング損失でIGBTモジュール比30%以上低減、最高動作温度200℃まで向上可能。高周波電源、自動車OBC、DC/DC、充電パイル、太陽光インバータおよびエネルギー貯蔵コンバータなどの応用分野に適しています。
【English】Built with MPS technology, SiC SBD chips cover 650V-1200V with on-resistance as low as 11 mOhm. They deliver low switching loss, more than 30% lower than IGBT modules, and raise the maximum working temperature to 200 C, serving high-frequency power supplies, automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV and storage.