SiC MOSFETチップ

【日本語】高信頼性平面ゲート技術を採用、電圧650V-1200V、単一チップ電流能力最大50A。ケルビンソースピンと積層低インダクタンス設計を採用、モジュール寄生インダクタンスを大幅に低減、高周波スイッチング性能に優れ、信頼性が高く、効率要求の厳しい高周波電源などの場面に適しています。
【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.