SiCモジュール

【日本語】低スイッチング損失でIGBTモジュール比30%以上低減、最高動作温度200℃まで向上可能。ケルビンソースピンと積層低インダクタンス設計を採用、モジュール寄生インダクタンスを大幅に低減。応用分野は自動車OBC、DC/DC、充電パイル、太陽光インバータ、エネルギー貯蔵コンバータ、高周波電源をカバー。
【English】SiC modules offer switching loss more than 30% lower than IGBT modules and raise the maximum working temperature to 200 C. Kelvin source pins and stacked low-inductance design cut module parasitic inductance. Applications include automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV inverters, PCS and high-frequency power supplies.