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フォトリレー(フォトMOS)

集積回路/半導体

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概要

耐圧 60V~1800V。FORM B を中心に FORM A を主力とします。絶縁耐圧 3750V。μAレベルの漏れ電流。代表型番:OPY412S、OPY414S、OPY121S、OPY228S、OPY214S、OPV278D。主な機能は電気的絶縁、信号切替、電圧サンプリングおよび漏れ電流検出で、機械式リレーおよびパナソニック・東芝の同種製品を代替でき、BMS電池管理、通信用切替、産業オートメーション、試験測定および安全機器などに典型的に応用されています。

Verified Supplier
Main Products: 電圧レギュレータ、過電流過電圧保護デバイス、集積パワーデバイス、フォトリレー、超高圧保護モジュール、デプレションモードMOSFET、エンハンスメントモードMOSFET

成都方舟微電子有限公司(パワー半導体デバイスの研究開発、製造と販売)ARK(成都方舟微電子有限公司)は2008年に設立された、…

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