IGBTモジュール

【日本語】封裝体系とチップの表裏面の協調最適化、塩水噴霧・硫化防止能力を備え、最高動作接合温度175℃、チップ並列は24個に達し、電圧600V-3300V・電流15A-3600A。対称電気配置と低寄生パラメータ設計で複数モジュールの並列に対応、風力発電コンバータ・太陽光インバータ・エネルギー貯蔵コンバータ・周波数コンバータに適用。
【English】Packaging is co-optimized with the chip front and back sides and offers salt-fog and sulfur resistance. Maximum operating junction temperature reaches 175 C with up to 24 chips in parallel, spanning 600V-3300V and 15A-3600A. Symmetrical layout and low parasitics suit multi-module paralleling for wind, PV, storage and drives.