第8世代 IGBTチップ（技術予備研究）

【日本語】第8世代IGBTチップ技術予備研究成果、スイッチング損失20%低減、電流密度は第7世代比15%向上。第6世代/第7世代チップの自主開発能力を受け継ぎ、2025年に予備研究を開始。工控・太陽光・エネルギー貯蔵など高周波スイッチングシーンに向け、デバイス効率と出力密度をさらに向上させます。
【English】Pre-research on the eighth-generation IGBT cuts switching losses by 20% and raises current density by 15% over the seventh generation, launched in 2025. Building on in-house sixth- and seventh-generation development, it targets high-frequency switching in industrial control, photovoltaics and energy storage.