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puces de puissance
【Français】Conception de cellules à tranchées ultra fines avec technologies field-stop et tranchées composites, à durée de vie contrôlée, faible conduction et récupération douce. Tensions IGBT de 600 à 3300 V et courants de 15 à 300 A ; tensions FRD de 650 à 1700 V et courants de 8 à 300 A. Vcesat réduit de 20 % et densité de courant accrue de 40 % par rapport à la génération précédente.
【English】Using ultra-fine trench cell, field-stop and composite trench technologies, the chips offer global and local lifetime control with low conduction and soft-recovery behavior. IGBTs span 600V-3300V and 15A-300A; FRD diodes span 650V-1700V and 8A-300A. Vcesat drops 20% and current density rises 40% over the prior generation.