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puces en carbure de silicium
【Français】Fabriquée en technologie MPS, de 650 à 1200 V, avec une résistance à l'état passant pouvant descendre à 11 mΩ par puce et des pertes de commutation réduites de plus de 30 % par rapport aux modules IGBT, pour une température de fonctionnement pouvant atteindre 200 °C. Destinée aux alimentations haute fréquence, OBC automobiles, DC/DC, bornes de recharge, onduleurs photovoltaïques et convertisseurs de stockage.
【English】Built with MPS technology, SiC SBD chips cover 650V-1200V with on-resistance as low as 11 mOhm. They deliver low switching loss, more than 30% lower than IGBT modules, and raise the maximum working temperature to 200 C, serving high-frequency power supplies, automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV and storage.