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puces en carbure de silicium
【Français】Technologie de grille planaire à haute fiabilité, de 650 à 1200 V, avec jusqu'à 50 A de courant par puce. Broche de source de Kelvin et empilement à faible inductance réduisent fortement l'inductance parasite des modules, avec d'excellentes performances en commutation haute fréquence et une grande fiabilité, pour les applications exigeantes en rendement comme les alimentations haute fréquence.
【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.