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Transistor discret SGT MOSFET

composants de puissance

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【Français】Encapsulation compacte et faible inductance parasite pour une résistance à l'état passant de l'ordre du milliohm et une tenue en avalanche élevée ; associé à la structure à grille blindée fiable, il supporte la commutation de charges inductives des entraînements moteurs, du DC/DC et des UPS. C'est le composant de puissance de base des domaines de l'automatisme industriel et des énergies nouvelles.
【English】Compact packaging and low parasitic inductance deliver milliohm-level on-resistance and high avalanche withstand capability. Combined with the reliable shielded-gate trench structure, these discretes handle inductive load switching in motor drives, DC/DC and UPS systems for industrial and new energy applications.

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