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Puce SGT MOSFET

puces de puissance

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【Français】La structure à grille blindée en tranchées optimise la structure de grille frontale pour une capacité Miller plus faible et un meilleur rendement, avec une résistance à l'état passant pouvant descendre à 1,7 mΩ et des tensions de 40 à 200 V. Destinée aux entraînements de moteurs, au DC/DC, aux UPS et autres applications des domaines des énergies nouvelles et de l'automatisme industriel.
【English】The shielded-gate trench structure optimizes the front trench, giving lower Miller capacitance and higher efficiency. On-resistance drops as low as 1.7 mOhm across a 40V-200V range, targeting motor drives, DC/DC converters and UPS systems in new energy and industrial control.

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