Votre liste de demandes est vide.
Circuits intégrés/semi-conducteurs
Basé sur la technologie brevetée MOSovp ; courant de repos inférieur à 20 μA ; tension d'entrée 0~200 V ; compensation thermique intégrée ; boîtiers SOT-23/89/223. Modèles représentatifs : AKZ16V18R, AKZ25V19R, AKZ35V20R et DMZ1318E. Assure la régulation directe d'une entrée large vers la basse tension, la réponse transitoire, la suppression des surtensions et la protection contre les surtensions ; applications typiques : alimentation des PWM IC de charge rapide, capteurs industriels, charge embarquée, photovoltaïque et alimentation des drivers de charge rapide SiC.
Basé sur la technologie brevetée MOSovp ; courant de repos inférieur à 20 uA ; tension d'entrée 0-200 V ; compensation thermique intégrée ; boîtiers SOT-23/89/223. Modèles représentatifs : AKZ16V18R, AKZ25V19R, AKZ35V20R et DMZ1318E. Assure une régulation directe large entrée vers basse tension, une réponse transitoire, une suppression des surtensions et une protection contre les surtensions, avec des applications typiques dans l'alimentation des PWM IC de charge rapide, les capteurs industriels, la charge embarquée, le photovoltaïque et l'alimentation des drivers de charge rapide SiC.
Chengdu Fangzhou Microelectronics Co., Ltd. (recherche-développement, fabrication et vente de dispositifs semiconducteur…
