تراشه IGBT+FRD (نسل ششم)

【فارسی】با طراحی سلول تراف فوق‌العاده دقیق، توقف میدانی و فناوری تراف کامپوزیت، دارای کنترل عمر، هدایت پایین و بازیابی نرم. ولتاژ IGBT 600V-3300V، جریان 15A-300A؛ ولتاژ FRD 650V-1700V، جریان 8A-300A. Vcesat 20% کاهش، چگالی جریان نسبت به نسل قبلی 40% افزایش.
【English】Using ultra-fine trench cell, field-stop and composite trench technologies, the chips offer global and local lifetime control with low conduction and soft-recovery behavior. IGBTs span 600V-3300V and 15A-300A; FRD diodes span 650V-1700V and 8A-300A. Vcesat drops 20% and current density rises 40% over the prior generation.