Your inquiry list is empty.
تراشه کربن سیلیسیوم
【فارسی】با فناوری گیت صفحه‌ای با قابلیت اطمینان بالا، ولتاژ 650V-1200V، قابلیت جریان تک تراشه حداکثر 50A. با پین سورس کالوین و طراحی پلکانی با القله پایین، کاهش قابل توجه القله پارسیتیک ماژول، عملکرد سوئیچینگ فرکانس بالا عالی و قابلیت اطمینان بالا، مناسب برای منابع تغذیه فرکانس بالا با نیازمندی‌های بهره‌وری سخت‌گیرانه.
【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.