Your inquiry list is empty.
تراشه قدرت
【فارسی】نتایج پیش‌تحقیق فنی تراشه IGBT نسل هشتم، کاهش تلفات سوئیچینگ 20%، افزایش چگالی جریان 15% نسبت به نسل هفتم، تداوم قابلیت توسعه مستقل تراشه‌های نسل ششم/هفتم، شروع پیش‌تحقیق در 2025. برای سناریوهای سوئیچینگ فرکانس بالا مانند کنترل صنعتی، فتوولتائیک و ذخیره انرژی، افزایش بهره‌وری و چگالی توان دستگاه.
【English】Pre-research on the eighth-generation IGBT cuts switching losses by 20% and raises current density by 15% over the seventh generation, launched in 2025. Building on in-house sixth- and seventh-generation development, it targets high-frequency switching in industrial control, photovoltaics and energy storage.