Chips IGBT+FRD (sexta generación)

【Español】Adoptan un diseño de celdas de trinchera ultrafinas con tecnologías de parada de campo y trinchera compuesta, con control de vida útil, baja conducción y recuperación suave. Tensión IGBT de 600 V-3300 V y corriente de 15 A-300 A; FRD de 650 V-1700 V y 8 A-300 A. Vcesat un 20 % menor y densidad de corriente un 40 % superior a la generación anterior.
【English】Using ultra-fine trench cell, field-stop and composite trench technologies, the chips offer global and local lifetime control with low conduction and soft-recovery behavior. IGBTs span 600V-3300V and 15A-300A; FRD diodes span 650V-1700V and 8A-300A. Vcesat drops 20% and current density rises 40% over the prior generation.