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Chip de carburo de silicio
【Español】Fabricados con tecnología MPS, con tensiones de 650 V-1200 V y resistencia en conducción de hasta 11 mΩ por chip; sus bajas pérdidas de conmutación suponen una reducción de más del 30 % frente a los módulos IGBT y la temperatura máxima de trabajo sube hasta 200 °C. Aplicables a fuentes de alimentación de alta frecuencia, OBC de automóvil, DC/DC, estaciones de carga, inversores fotovoltaicos y convertidores de almacenamiento de energía, entre otros ámbitos.
【English】Built with MPS technology, SiC SBD chips cover 650V-1200V with on-resistance as low as 11 mOhm. They deliver low switching loss, more than 30% lower than IGBT modules, and raise the maximum working temperature to 200 C, serving high-frequency power supplies, automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV and storage.