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Chip de carburo de silicio
【Español】Emplean tecnología de puerta planar de alta fiabilidad, con tensiones de 650 V-1200 V y capacidad de corriente de hasta 50 A por chip. Con pin de fuente Kelvin y diseño apilado de baja inductancia reducen notablemente la inductancia parásita del módulo; su rendimiento de conmutación en alta frecuencia es excelente y de alta fiabilidad, aptos para aplicaciones muy exigentes en eficiencia como las fuentes de alta frecuencia.
【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.