Chip IGBT de octava generación (preinvestigación tecnológica)

【Español】Resultados de la preinvestigación tecnológica del chip IGBT de octava generación, con pérdidas de conmutación un 20 % menores y una densidad de corriente un 15 % superior a la séptima generación, que continúa la capacidad de desarrollo autónomo de las generaciones sexta y séptima; la preinvestigación arrancó en 2025. Orientado a escenarios de conmutación de alta frecuencia como control industrial, fotovoltaica y almacenamiento de energía, mejora aún más la eficiencia y la densidad de potencia de los dispositivos.
【English】Pre-research on the eighth-generation IGBT cuts switching losses by 20% and raises current density by 15% over the seventh generation, launched in 2025. Building on in-house sixth- and seventh-generation development, it targets high-frequency switching in industrial control, photovoltaics and energy storage.