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Integrierte Schaltungen/Halbleiter
Mustermodelle: AESD05V08ZS und AESD12V04ZS (TVS); 80 W Spitzenleistung; Gehäuse SOT-23. Eingesetzt zur Unterdrückung transienter Spannungsspitzen sowie zum Überspannungs- und Überstromschutz, typischerweise in Verbraucherelektronik, Kommunikation und Netzteil-Eingangsschutz.
Chengdu Fangzhou Microelectronics Co., Ltd. (Forschung, Herstellung und Vertrieb von Leistungshalbleiterbauelementen) AR…