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Leistungs-Chips
【Deutsch】Ultrafeines Zellendesign, Feldstopp- und Composite-Technologie, mit Lebensdauerkontrolle, niedriger Leitfähigkeit und sanfter Rückgewinnung. IGBT-Spannung 600V-3300V, Strom 15A-300A; FRD-Spannung 650V-1700V, Strom 8A-300A. Vcesat um 20% reduziert, Stromdichte gegenüber Vorgeneration um 40% gesteigert.
【English】【English】Using ultra-fine trench cell, field-stop and composite trench technologies, the chips offer global and local lifetime control with low conduction and soft-recovery behavior. IGBTs span 600V-3300V and 15A-300A; FRD diodes span 650V-1700V and 8A-300A. Vcesat drops 20% and current density rises 40% over the prior generation.