SiC SBD-Chip

【Deutsch】Hergestellt mit MPS-Technologie, Spannung 650V-1200V, Einzelleitwiderstand bis zu 11mΩ, niedrige Schaltverluste, über 30% weniger als IGBT-Module, maximale Betriebstemperatur bis 200°C. Geeignet für Hochfrequenz-Netzteile, Automotive OBC, DC\/DC, Ladestationen, PV-Wechselrichter und Energiespeicher-Umrichter.
【English】【English】Built with MPS technology, SiC SBD chips cover 650V-1200V with on-resistance as low as 11 mOhm. They deliver low switching loss, more than 30% lower than IGBT modules, and raise the maximum working temperature to 200 C, serving high-frequency power supplies, automotive OBC, DC\/DC, charging piles, PV and storage.