SiC MOSFET-Chip

【Deutsch】Hochzuverlässige Planar-Gate-Technologie, Spannung 650V-1200V, maximaler Strom pro Chip 50A. Kelvin-Source-Pin und geschichtete niedriginduktive Design reduzieren Modul-Parasiteninduktivität erheblich, exzellente Hochfrequenz-Schaltleistung und hohe Zuverlässigkeit für anspruchsvolle Netzteile.
【English】【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.