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SiC-Modul

Siliziumkarbid-Module

Siliziumkarbid-Module
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【Deutsch】Niedrige Schaltverluste, über 30% weniger als IGBT-Module, maximale Betriebstemperatur bis 200°C; Kelvin-Source-Pin und geschichtetes niedriginduktives Design reduzieren Modul-Parasiteninduktivität erheblich. Anwendungen: Automotive OBC, DC\/DC, Ladestationen, PV-Wechselrichter, Energiespeicher-Umrichter und Hochfrequenz-Netzteile.
【English】【English】SiC modules offer switching loss more than 30% lower than IGBT modules and raise the maximum working temperature to 200 C. Kelvin source pins and stacked low-inductance design cut module parasitic inductance. Applications include automotive OBC, DC\/DC, charging piles, PV inverters, PCS and high-frequency power supplies.

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