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SGT MOSFET-Discrete

Leistungsbauelemente

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【Deutsch】Kompaktes Gehäuse und niedrige Parasiteninduktivität, Milliohm-Einzelleitwiderstand und hohe Lawinenfestigkeit, kombiniert mit zuverlässiger abgeschirmter Grabenstruktur, verträgt induktive Lastumschaltung bei Motorantrieben, DC\/DC und UPS, Basis-Leistungsbauelement für industrielle Steuerung und Neue Energien.
【English】【English】Compact packaging and low parasitic inductance deliver milliohm-level on-resistance and high avalanche withstand capability. Combined with the reliable shielded-gate trench structure, these discretes handle inductive load switching in motor drives, DC\/DC and UPS systems for industrial and new energy applications.

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