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Integrierte Schaltungen/Halbleiter
Basierend auf der patentierten MOSovp-Technologie; Ruhestrom unter 20 µA; Eingangsspannung 0-200 V; integrierte Temperaturkompensation; Gehäuse SOT-23/89/223. Mustermodelle: AKZ16V18R, AKZ25V19R, AKZ35V20R und DMZ1318E. Ermöglicht die direkte Regelung breiter Eingangsspannungen auf niedrige Ausgangsspannungen, schnelles transientes Verhalten, Überspannungsunterdrückung und Überspannungsschutz; typische Anwendungen sind die Versorgung von PWM-ICs in Schnellladegeräten, Industriesensoren, Bordladegeräten, Photovoltaik sowie SiC-Schnellladetreibern.
Chengdu Fangzhou Microelectronics Co., Ltd. (Forschung, Herstellung und Vertrieb von Leistungshalbleiterbauelementen) AR…