8. Generation IGBT-Chip (Technologie-Vorforschung)

【Deutsch】Forschungsergebnis der 8. Generation IGBT-Chip-Technologie, Schaltverluste um 20% reduziert, Stromdichte gegenüber 7. Generation um 15% gesteigert, aufbauend auf eigener 6.\/7.-Generation-Entwicklungskompetenz, 2025 gestartet. Ziel: industrielle Steuerung, Photovoltaik, Energiespeicherung und weitere Hochfrequenz-Schaltanwendungen, weitere Verbesserung von Bauteileffizienz und Leistungsdichte.
【English】【English】Pre-research on the eighth-generation IGBT cuts switching losses by 20% and raises current density by 15% over the seventh generation, launched in 2025. Building on in-house sixth- and seventh-generation development, it targets high-frequency switching in industrial control, photovoltaics and energy storage.