قائمة الاستفسارات الخاصة بك فارغة.
شرائح كربيد السيليكون
【العربية】تقنية بوابة مستوية عالية الموثوقية، جهد 650V-1200V، تيار 50A. دبوس مصدر كيلفن وتصميم منخفض الحث، أداء تبديل عالي التردد ممتاز.
【English】Using a highly reliable planar gate process, SiC MOSFET chips cover 650V-1200V with up to 50 A per die. Kelvin source pins and stacked low-inductance design greatly reduce module parasitic inductance, delivering strong high-frequency switching performance and reliability for demanding power supply applications.