قائمة الاستفسارات الخاصة بك فارغة.
وحدات كربيد السيليكون
【العربية】فقد تبديل منخفض، أقل من وحدات IGBT بأكثر من 30%، درجة حرارة عمل قصوى 200°C. دبوس مصدر كيلفن وتصميم منخفض الحث. تغطي OBC وDC/DC ومحطات الشحن ومحولات الطاقة الشمسية ومحولات التخزين.
【English】SiC modules offer switching loss more than 30% lower than IGBT modules and raise the maximum working temperature to 200 C. Kelvin source pins and stacked low-inductance design cut module parasitic inductance. Applications include automotive OBC, DC/DC, charging piles, PV inverters, PCS and high-frequency power supplies.